北京大学在碳纳米管栅控量子干涉效应研究中取得重要进展

2024-09-04 18:16
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谁都知道,美国与荷兰、日本等国家,联合起来,封锁了中国的核心技术,目的就是为了阻止中国的14纳米技术更进一步。

实话跟你说吧,现在的情况很糟糕,我们没法弄到 ASMLEUV光刻机,也没法弄到,7 nm制程的渗透型光刻机,也没法弄到,尼康和 ASML,也没法弄到,只能弄14 nm制程以上的产品。

国内的光刻技术,目前还停留在90纳米,距离14纳米,还有很长一段路要走。


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所以很多人都觉得,我们在硅基芯片方面,想要超越美国,几乎是不可能的,而且我们的硅基芯片,也快到了极限了,迟早会被新的材料所取代,我们必须要做好准备。

而量子芯片,光学芯片,以及碳基芯片,则是未来的发展方向。尤其是中国的碳基芯片,在材料、制造、研发等方面,都是遥遥领先的,2022年年底,我国的石墨烯专利申请数量,已经达到了全球80%左右。

而且,由于碳基晶体管的导电性比硅基晶体管好了不知道多少倍,所以在性能方面,碳基晶体管比硅基晶体管要好上十倍不止,而在这一点上,碳基晶体管的功率消耗也要比硅基晶体管低很多。


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另一种说法是,如果碳基芯片不用硅片,那么光刻机的技术,将会发生翻天覆地的变化,再也不需要 EUV光刻机了,中国芯,将不再受光刻机的限制,这是一个值得努力的方向。

事实上,到现在为止,碳基芯片都还停留在概念上,还没有真正意义上的量产,更多的是用来做科研的。

此外,碳晶体管中含有4个自由电子,其导热系数和电子活性都很高,这使得其内部结构非常不稳定,成为目前碳基芯片制备中的一个难题。


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另外,就目前的研究而言,碳基晶体管的制作,与现有的硅基晶体管一样,都是用投影仪,投影仪将电路投影出来,原理与步骤都是一样的。

也就是说,想要用碳基芯片绕过光刻机和 EUV光刻机,在现阶段恐怕是不太现实的,因为碳基芯片和硅基芯片唯一的区别,就是材质上的区别,但工艺上却是大同小异。

当然,碳基芯片的技术要比硅基芯片高得多,40纳米的碳基芯片,甚至有可能达到3纳米的硅基芯片,而现在,我们已经掌握了14纳米的技术,完全有能力生产出一款新的碳基芯片。

但说实话,任何一项技术,想要超越其他国家,都必须要有足够的技术,否则,就会被其他国家超越,这是不可能的,所以,我们必须要在半导体行业发展起来,弥补我们的短板,让我们进入一个新的时代,不是吗?


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